Transistor canal N BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25