Transistor canal N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=100°C): 0.12A. Id (T=25°C): 0.19A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 25pF. C (out): 8.5pF. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Fonction: Commutation très rapide. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 0.01uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25