Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0881€
50-99
0.0765€
100-199
0.0697€
200+
0.0595€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 274
Minimum: 10

Transistor canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=25°C): 0.22A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 27pF. C (out): 13pF. Courant de drain: 220mA. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Id(imp): 0.88A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 360mW. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:31

Documentation technique (PDF)
BSS138
35 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Id (T=25°C)
0.22A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.7 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
50V
C (in)
27pF
C (out)
13pF
Courant de drain
220mA
Dissipation de puissance maxi
0.36W
Id(imp)
0.88A
Idss (min)
0.5uA
Marquage sur le boîtier
SS
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
360mW
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS SS
RoHS
oui
Spec info
Mode d'amélioration du niveau logique
Td(off)
20 ns
Td(on)
2.5 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
50V
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.8V
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Fairchild
Quantité minimum
10

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