Transistor canal N BS107, TO-92, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, 200V. Boîtier: TO-92. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Courant de drain: 250mA. Diode Tff(25°C): 8 ns. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Id(imp): 2A. Marquage sur le boîtier: BS107. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6.4 Ohms. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25