Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V

Quantité
Prix unitaire
1-2
39.73€
3-4
38.20€
5-9
35.33€
10+
32.86€
Quantité en stock: 13

Transistor canal N APT5010JVR, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Dissipation de puissance maxi: 450W. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
APT5010JVR
27 paramètres
Id (T=25°C)
44A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.10 Ohms
Boîtier
ISOTOP ( SOT227B )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOTOP ( SOT-227 )
Tension Vds(max)
500V
C (in)
7400pF
C (out)
1000pF
Dissipation de puissance maxi
450W
Fonction
commutation rapide, faible fuite
Id(imp)
176A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
54 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
Power MOSV
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source VGS (off) min.
2V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
620 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Produit d'origine constructeur
Advanced Power