Transistor canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Transistor canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.18€
5-24
1.02€
25-49
0.89€
50-99
0.81€
100+
0.69€
Quantité en stock: 74

Transistor canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 9971GH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AP9971GH
33 paramètres
Id (T=100°C)
16A
Id (T=25°C)
25A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.036 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
1700pF
C (out)
160pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
39W
Fonction
Commutation rapide, onduleurs, alimentations
Id(imp)
90A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
9971GH
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
26 ns
Td(on)
9 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
37 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
3000
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Advanced Power