Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.23€
5-24
1.04€
25-49
0.91€
50-99
0.83€
100+
0.71€
Quantité en stock: 67

Transistor canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Fonction: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: AOY2610E. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: Trench Power AlphaSGTTM technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 19 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AOY2610E
31 paramètres
Id (T=100°C)
36A
Id (T=25°C)
46A
Idss (maxi)
5uA
Résistance passante Rds On
7.7m Ohms
Boîtier
TO-251 ( I-Pak )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-251 ( I-Pak )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
1100pF
C (out)
300pF
Dissipation de puissance maxi
59.5W
Fonction
High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier
Id(imp)
110A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
AOY2610E
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
22 ns
Td(on)
6.5 ns
Technologie
Trench Power AlphaSGTTM technology
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
19 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.4V
Vgs(th) min.
1.4V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors