Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.08€
5-49
2.77€
50-99
2.45€
100+
2.24€
Quantité en stock: 58

Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

AO3407A
27 paramètres
Id (T=100°C)
3.5A
Id (T=25°C)
4.1A
Idss
1uA
Idss (maxi)
4.1A
Résistance passante Rds On
0.052 Ohms
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
520pF
C (out)
100pF
Dissipation de puissance maxi
1.4W
Fonction
Commutation ou applications PWM
Id(imp)
25A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
19 ns
Td(on)
7.5 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
11 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors