Transistor canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

Transistor canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.39€
5-9
4.73€
10-14
4.26€
15-29
3.94€
30+
3.51€
Quantité en stock: 64

Transistor canal N 2SK3911, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4250pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K3911. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 80 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK3911
29 paramètres
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
0.22 Ohms
Boîtier
TO-3PN
Boîtier (selon fiche technique)
2-16C1B
Tension Vds(max)
600V
C (in)
4250pF
C (out)
420pF
Dissipation de puissance maxi
150W
Fonction
Régulateur à découpage
Id(imp)
80A
Marquage sur le boîtier
K3911
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
80 ns
Td(on)
45 ns
Technologie
Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI)
Température de fonctionnement
-...+150°C
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1350 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba