Transistor canal N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Transistor canal N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.25€
5-14
4.61€
15-24
4.12€
25-49
3.74€
50+
3.20€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 3

Transistor canal N 2SK3878, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=100°C): 5.3A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2200pF. C (out): 45pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K3878. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1.4us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK3878
33 paramètres
Id (T=100°C)
5.3A
Id (T=25°C)
9A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
1 Ohm
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension Vds(max)
900V
C (in)
2200pF
C (out)
45pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
150W
Fonction
Applications de régulateur à découpage
Id(imp)
27A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
K3878
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA)
Td(off)
120ns
Td(on)
65 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1.4us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
25
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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