Transistor canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.07€
5-24
4.49€
25-49
3.96€
50+
3.62€
Quantité en stock: 90

Transistor canal N 2SK3699-01MR, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 3.7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.31 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 430pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 14.8A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3699. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK3699-01MR
30 paramètres
Id (T=100°C)
3.7A
Id (T=25°C)
3.7A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
3.31 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
900V
C (in)
430pF
C (out)
60pF
Dissipation de puissance maxi
43W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
14.8A
Idss (min)
25uA
Marquage sur le boîtier
K3699
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
32 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
Super FAP-G Series
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fuji Electric