Transistor canal N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor canal N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.09€
5-9
5.54€
10-24
5.12€
25-49
4.79€
50+
4.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 42

Transistor canal N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 95W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK3679
30 paramètres
Id (T=25°C)
9A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
1.22 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
900V
C (in)
1100pF
C (out)
140pF
Dissipation de puissance maxi
95W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
36A
Idss (min)
25uA
Marquage sur le boîtier
K3679
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
50 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
POWER MOSFET Super FAP-G Series
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
3.2us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fuji Electric

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