Transistor canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Transistor canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.76€
5-24
0.60€
25-49
0.54€
50+
0.48€
Quantité en stock: 140

Transistor canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 160pF. C (out): 85pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: KE. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS KE. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3065
30 paramètres
Id (T=100°C)
1.6A
Id (T=25°C)
2A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.32 Ohms
Boîtier
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-89 ( MTP3 )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
160pF
C (out)
85pF
Dissipation de puissance maxi
0.5W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
8A
Marquage sur le boîtier
KE
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS KE
RoHS
oui
Td(off)
120ns
Td(on)
20 ns
Technologie
MOS FET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
ROHM