Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 4.04€ | 4.85€ |
5 - 9 | 3.84€ | 4.61€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.45€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.36€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.26€ |
100+ | 3.35€ | 4.02€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.04€ | 4.85€ |
5 - 9 | 3.84€ | 4.61€ |
10 - 24 | 3.71€ | 4.45€ |
25 - 49 | 3.63€ | 4.36€ |
50 - 99 | 3.55€ | 4.26€ |
100+ | 3.35€ | 4.02€ |
Transistor canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - 2SK2662. Transistor canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed Switching, Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K2662. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor à effet de champ (TT-MOS V). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.
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