Transistor canal N 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal N 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.87€
5-24
1.59€
25-49
1.42€
50+
1.29€
Quantité en stock: 19

Transistor canal N 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1100pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Electronique automobile. Id(imp): 108A. Marquage sur le boîtier: K2314. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Transistor à effet de champ de puissance. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2314
29 paramètres
Id (T=25°C)
27A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.09 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1100pF
C (out)
180pF
Dissipation de puissance maxi
75W
Fonction
Electronique automobile
Id(imp)
108A
Marquage sur le boîtier
K2314
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
ESD Protected--2000V min
Td(off)
140us
Td(on)
30us
Technologie
Transistor à effet de champ de puissance
Température de fonctionnement
-50...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
155 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Toshiba