Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, 21F1B, 1 kV, 12A - 2SK1489

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, 21F1B, 1 kV, 12A - 2SK1489. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, 21F1B, 1 kV, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 21F1B. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SK1489. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.