Transistor canal N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1461. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31