Transistor canal N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31