Transistor canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

Transistor canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V

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5-49
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50-99
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Transistor canal N 2N7000, TO-92, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, O-92Ammo-Pack, 60V. Boîtier: TO-92. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): O-92Ammo-Pack. Tension Vds(max): 60V. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Courant de drain: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Id(imp): 0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 2n7000. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 0.18g. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 0.35W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 5. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2N7000
37 paramètres
Boîtier
TO-92
Id (T=25°C)
0.2A
Idss (maxi)
1000uA
Résistance passante Rds On
5 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
O-92Ammo-Pack
Tension Vds(max)
60V
C (in)
60pF
C (out)
25pF
Courant de drain
0.2A
Dissipation de puissance maxi
0.35W
Id(imp)
0.5A
Idss (min)
1uA
Marquage du fabricant
2n7000
Marquage sur le boîtier
2n7000
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Poids
0.18g
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
0.35W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
6 Ohms
Td(off)
10 ns
Td(on)
10 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
60V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor
Quantité minimum
5

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