Transistor canal N 0505-001247, 1.4A, 2.7A, 2.7A, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 2.7A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 200V. Fonction: MOS-N-FET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Samsung. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:19