Transistor SPP08P06P

Transistor SPP08P06P. Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.