Rechercher "diode stth30r06cw"

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1N4148AMMO

1N4148AMMO

Diode 1N4148AMMO, DO-35, 0.1A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 2A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

0.0770€
Quantité en stock: 114376
Minimum: 10
1N4149TR

1N4149TR

Diode 1N4149TR, DO-35, 0.5A. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Ifsm [A]: 4A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA...

0.14€
Quantité en stock: 10450
Minimum: 5
1N4448GEG

1N4448GEG

Diode 1N4448GEG, DO35. Boîtier: DO35. Courant d'impulsion max.: 4A. Courant: 0.5A, 150mA. Montage/installation: THT. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. RoHS: non. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 4ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 100V. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de commutation...

0.24€
Quantité en stock: 1000
1N4739A-TR

1N4739A-TR

Diode Zéner 1N4739A-TR, DO-41, DO-204AL, 9.1V, 1W. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 7.6V. Famille de composants: diode zéner, puissance 1W (25°C), 5%. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 28mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

0.60€
Quantité en stock: 238
1N4741A

1N4741A

Diode Zéner 1N4741A, 1W, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 11V. Dissipation de puissance maxi: 1W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Tension Zéner: 11V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tolérance: 5%. Type de diode: Diode Zéner...

0.0782€
+2610 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
Minimum: 10
1N4742A-TR

1N4742A-TR

Diode Zéner 1N4742A-TR, DO-41, DO-204AL, 12V, 1W. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 12V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 5uA @ 9.1V. Famille de composants: diode zéner, puissance 1W (25°C), 5%. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 9 Ohms @ 25mA. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

0.88€
Quantité en stock: 93