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BC817-40

BC817-40

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 10pF. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0443€
+165358 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 738
Minimum: 10
BC817-40-6C

BC817-40-6C

Transistor NPN BC817-40-6C, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0888€
Quantité en stock: 16603
Minimum: 10
BC817-40-NXP

BC817-40-NXP

Transistor NPN BC817-40-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0406€
Quantité en stock: 438
Minimum: 10
BC817-40LT1G-6C

BC817-40LT1G-6C

Transistor NPN BC817-40LT1G-6C, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.12€
Quantité en stock: 39088
Minimum: 10
BC818-40-6G

BC818-40-6G

Transistor NPN BC818-40-6G, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.0711€
Quantité en stock: 2454
Minimum: 10
BC818-40LT1G-6G

BC818-40LT1G-6G

Transistor NPN BC818-40LT1G-6G, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V...

0.13€
Quantité en stock: 10066
Minimum: 5
BC846B

BC846B

Transistor NPN BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 11pF. C (out): 2pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Information: -. Marquage sur le boîtier: 1B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1B. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.0455€
+139757 rapidement
Quantité en stock: 1694
Minimum: 10
BC846B-1B

BC846B-1B

Transistor NPN BC846B-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

0.0947€
Quantité en stock: 14090
Minimum: 10
BC846BLT1G-1B

BC846BLT1G-1B

Transistor NPN BC846BLT1G-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

0.0888€
Quantité en stock: 26154
Minimum: 10
BC846BPBF-1B

BC846BPBF-1B

Transistor NPN BC846BPBF-1B, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

0.0829€
Quantité en stock: 12898
Minimum: 10
BC846BW-1B

BC846BW-1B

Transistor NPN BC846BW-1B, SC-70, 100mA. Boîtier: SC-70. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 1B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V...

0.12€
Quantité en stock: 4455
Minimum: 10
BC846C

BC846C

Transistor NPN BC846C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 8AC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 8AC. Tension de saturation VCE(sat): 250mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 600mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.0453€
Quantité en stock: 1663
Minimum: 10
BC847A

BC847A

Transistor NPN BC847A, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 1.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.0399€
+500 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 549
Minimum: 10