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BC639

BC639

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Gain hfe: 40...250. Marquage du fabricant: BC639. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.21€
+13052 rapidement
Quantité en stock: 241
BC639-16

BC639-16

Transistor NPN BC639-16, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.22€
Quantité en stock: 286
BC639-16-CDIL

BC639-16-CDIL

Transistor NPN BC639-16-CDIL, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€
Quantité en stock: 164
BC639-16D27Z

BC639-16D27Z

Transistor NPN BC639-16D27Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.44€
Quantité en stock: 1520
BC639-16D74Z

BC639-16D74Z

Transistor NPN BC639-16D74Z, TO-92, 1A. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC639-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.41€
Quantité en stock: 11255
BC640-016G

BC640-016G

Transistor PNP BC640-016G, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: BC640-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.59€
Quantité en stock: 2016
BC640-16

BC640-16

Transistor PNP BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 100...250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€
+50 rapidement
Quantité en stock: 116
BC640TA

BC640TA

Transistor PNP BC640TA, -100V, TO-92, -1A, TO-226, 80V, 1A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: -1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence maxi: 50MHz. Marquage du fabricant: BC640. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.8W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: transistor PNP...

0.30€
+1421 rapidement
Quantité en stock: 3590
BC807-25

BC807-25

Transistor PNP BC807-25, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V...

0.0558€
+32001 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 620
Minimum: 10
BC807-25-5B

BC807-25-5B

Transistor PNP BC807-25-5B, SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 12236
Minimum: 10
BC807-25LT1G-5B

BC807-25LT1G-5B

Transistor PNP BC807-25LT1G-5B, SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5B1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 12364
Minimum: 5
BC807-40

BC807-40

Transistor PNP BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 5C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0433€
+75763 rapidement
Quantité en stock: 368
Minimum: 10
BC807-40-5C

BC807-40-5C

Transistor PNP BC807-40-5C, SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 28143
Minimum: 10
BC807-40LT1G-5C

BC807-40LT1G-5C

Transistor PNP BC807-40LT1G-5C, SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 35548
Minimum: 5
BC817-16

BC817-16

Transistor NPN BC817-16, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6As. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6As. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0312€
+100 rapidement
Quantité en stock: 5664
Minimum: 10
BC817-16-NXP

BC817-16-NXP

Transistor NPN BC817-16-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0370€
Quantité en stock: 955
Minimum: 10
BC817-25

BC817-25

Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0413€
+34916 rapidement
Quantité en stock: 2977
Minimum: 10
BC817-25-6B

BC817-25-6B

Transistor NPN BC817-25-6B, SOT-23, 800mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0711€
Quantité en stock: 19828
Minimum: 10
BC817-25LT1G-6B

BC817-25LT1G-6B

Transistor NPN BC817-25LT1G-6B, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 6B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0947€
Quantité en stock: 3644
Minimum: 10