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Transistors FET et MOSFET canal N (18+)

Inductances (3+)

Régulateurs de tension linéaires (1+)

Transistors bipolaires PNP (1+)

DSZ-9-470-0-8-V

Inductance DSZ-9-470-0-8-V...

2.13€

Quantité en stock: 4

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DTMSS-27-0-1-8-0-V

Inductance DTMSS-27-0-1-8-0-V, 100uH. Inductance: 100uH. Application de selfs: alimentations à découpage. Boîtier: DPU. Courant de fonctionnement: 8A. Diamètre: 31.5mm. Largeur: 16mm. Montage/installation: THT. RoHS: oui. Type de bobine d'arrêt: anneau. Type: enroulement de fil électrique...

9.50€

Quantité en stock: 1

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DTMSS-40-0-1-20-V

Inductance DTMSS-40-0-1-20-V, 100uH. Inductance: 100uH. Application de selfs: alimentations à découpage. Boîtier: DPU. Courant de fonctionnement: 20A. Diamètre: 47mm. Largeur: 21mm. Montage/installation: THT. RoHS: non. Type de bobine d'arrêt: anneau. Type: enroulement de fil électrique...

18.40€

Quantité en stock: 1

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FAN6755WMY

Régulateur de tension FAN6755WMY, 30 v. VCC: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Fonction: Alimentation du moniteur LCD. Fréquence: 65kHz. Marquage sur le boîtier: 6755W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...+105°C...

4.52€

Quantité en stock: 20

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FDS6670A

Transistor canal N FDS6670A, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6670A. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.95€

Quantité en stock: 69

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FDS6912

Transistor canal N FDS6912, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDS6912. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 162

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HUF76145P3

Transistor canal N HUF76145P3, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 135 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: HUF76145P3. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 110 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.36€

Quantité en stock: 2

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IRF7201PBF

Transistor canal N IRF7201PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7201. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.18€

Quantité en stock: 56

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IRF7313TRPBF

Transistor canal N IRF7313TRPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.5A/6.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7313. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.89€

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IRF7413PBF

Transistor canal N IRF7413PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7413. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.86€

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IRF7455PBF

Transistor canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3480pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7455. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

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IRF7811AVPBF

Transistor canal N IRF7811AVPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7811. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.47€

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IRF7821PBF

Transistor canal N IRF7821PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7821. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Température maxi: +155°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.84€

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IRF7831TRPBF

Transistor canal N IRF7831TRPBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7831. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

2.28€

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IRF8788PBF

Transistor canal N IRF8788PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5720pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F8788. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V...

1.47€

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IRL2203NPBF

Transistor canal N IRL2203NPBF, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.73€

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IRLBA3803PPBF

Transistor canal N IRLBA3803PPBF, SUPER-220, 30 v. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 179A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Dissipation maximale Ptot [W]: 270W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLBA3803PPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.3V...

7.10€

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IRLL2703PBF

Transistor canal N IRLL2703PBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

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IRLL2703TRPBF

Transistor canal N IRLL2703TRPBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

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IRLML2803PBF

Transistor canal N IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

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IRLML2803TRPBF

Transistor canal N IRLML2803TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€

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IRLML6344TRPBF

Transistor canal N IRLML6344TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.1V...

0.88€

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KSB564A

Transistor PNP KSB564A, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 110 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SAMSUNG. Type de transistor: PNP...

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KSC2328A-Y

Transistor NPN KSC2328A-Y, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 120 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type de transistor: NPN...

1.36€

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