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BUL39D

DE124-RS-21

Module afficheur LCD DE124-RS-21, 8-digit. Nombre de caractères: 8-digit. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: DIL. Configuration: connexions par caoutchouc conducteur. Contrôle de l'afficheur: MUX 1/2. Famille de composants: afficheur à cristaux liquides (LCD). Hauteur de caractères: 6mm. Information: réfléchissant. Largeur extérieure [mm]: 20.29mm. Longueur extérieure [mm]: 38mm. Nombre de bornes: 38. RoHS: non. Surface d'affichage: 34x11.63mm. Température maxi: +70°C.. Tension d'alimentation: 3V. Type de caractère: numerikus. Épaisseur extérieure [mm]: 2.2mm...

MJE18004

Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Fréquence: 13MHz. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Gain hfe: 4...28. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

MJE18008

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 120W. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

MBR1545CT

Diode MBR1545CT, TO-220, 7.5A, 75A, TO-220AB, 45V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 7.5A. IFSM: 75A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Fonction: diode pour alimentation à découpage, double, Schottky. IRM (max): 15mA. IRM (min): 0.1mA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V...

MBR745

MBR760

MUR120

Diode MUR120, 1A, 35A, DO-41, CASE 59-10 (7.3x3.4mm), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 5uA. IRM (min): 2uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--35App. Température de fonctionnement: -65...+175°C...

MUR160

Diode MUR160, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( 5.0x2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--35App. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

MUR860

USB-55155

Câble USB USB-55155. Couleur de l'isolant: noir. Longueur du câble: 1M. Matériau d'isolation des conducteurs: PVC. RoHS: oui. Tension nominale: 5V. Type de conducteur: cuivre. Type de câble de connexion: Alimentation CC...

USB-55158

Câble USB USB-55158. Couleur de l'isolant: noir. Longueur du câble: 1M. Matériau d'isolation des conducteurs: PVC. RoHS: oui. Tension nominale: 5V. Type de conducteur: cuivre. Type de câble de connexion: Alimentation CC...

BUL216

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1600V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: NPN. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V...

BUL310

Transistor NPN BUL310, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

TCDT1120

Optocoupleur TCDT1120. CTR: > 40%. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Fc: 110kHz. Fonction: Alimentations à découpage. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. VECO: 7V. Vcbo: 90V. Vrms: 5000V...

APT15GP60BDQ1G

Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Courant de collecteur: 56A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Ic(puls): 65A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 55ms. Type de canal: N...

MUR8100

Diode MUR8100, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U8100E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75us...

MUR820

Diode MUR820, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U820. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Trr Diode (Min.): 25 ns...

MUR860G

Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 50 ns...

MUR880

Diode MUR880, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U880E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 75us...

0-1106430-4

Connecteur 0-1106430-4...

0-1106449-2

Connecteur 0-1106449-2...

0-1106449-4

Connecteur 0-1106449-4...

0-66099-4

Connecteur 0-66099-4. Charge maxi: 13A. Fonction: CPC série-III, broche de contact. Matériau de revêtement du contact: contact étamé et doré. Nombre de contacts: 1. Pour câble de section: 0.75...1.5mm2, 18-16AWG. RoHS: oui...