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BC262A

BC262A

Transistor PNP BC262A, TO-18, 25V, 100mA. Boîtier: TO-18. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.62€
Quantité en stock: 25
BC303

BC303

Transistor PNP BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. FT: 0.65 MHz. Fréquence maxi: 75MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V...

0.82€
+156 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 58
BC304

BC304

Transistor PNP BC304, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V...

0.96€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 88
BC327-16

BC327-16

Transistor PNP BC327-16, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-16. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0508€
Quantité en stock: 953
Minimum: 10
BC327-16-112

BC327-16-112

Transistor PNP BC327-16-112, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 260 MHz. Marquage du fabricant: C32716. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.13€
Quantité en stock: 20
Minimum: 5
BC327-25

BC327-25

Transistor PNP BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0456€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 567
Minimum: 10
BC327-25-AMMO

BC327-25-AMMO

Transistor PNP BC327-25-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0416€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 3360
Minimum: 10
BC327-25BULK

BC327-25BULK

Transistor PNP BC327-25BULK, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC327-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0711€
Quantité en stock: 1734
Minimum: 10
BC327-25G

BC327-25G

Transistor PNP BC327-25G, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 260 MHz. Marquage du fabricant: BC327-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.12€
Quantité en stock: 5129
Minimum: 10
BC327-25TAPE

BC327-25TAPE

Transistor PNP BC327-25TAPE, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC327-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0770€
Quantité en stock: 3686
Minimum: 10
BC327-40

BC327-40

Transistor PNP BC327-40, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 12pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: hFE 250-600. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 170. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC327-40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0477€
+22007 rapidement
Quantité en stock: 267
Minimum: 10
BC327-40-AMMO

BC327-40-AMMO

Transistor PNP BC327-40-AMMO, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 250-600. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0477€
Quantité en stock: 902
Minimum: 10
BC328-25

BC328-25

Transistor PNP BC328-25, -30V, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: -30V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.63W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

0.0573€
+710 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 245
Minimum: 10
BC337-25

BC337-25

Transistor NPN BC337-25, TO-92, 0.8A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 210 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 250. Ic(puls): 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-25. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0552€
+3309 rapidement
Quantité en stock: 1851
Minimum: 10
BC337-25BULK

BC337-25BULK

Transistor NPN BC337-25BULK, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0592€
Quantité en stock: 3264
Minimum: 10
BC337-25RL1G

BC337-25RL1G

Transistor NPN BC337-25RL1G, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 210 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.14€
Quantité en stock: 2492
Minimum: 5
BC337-25TAPE

BC337-25TAPE

Transistor NPN BC337-25TAPE, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BC337-25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0829€
Quantité en stock: 3952
Minimum: 10
BC337-40

BC337-40

Transistor NPN BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 12pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 170. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC337-40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-40. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0546€
+16242 rapidement
Quantité en stock: 3783
Minimum: 10
BC337-40G

BC337-40G

Transistor NPN BC337-40G, TO-92, 800mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 210 MHz. Marquage du fabricant: BC337-40. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.18€
Quantité en stock: 2311