Rechercher "phototransistor bpv11"

Nous vous proposons une sélection de 69 produits pouvant correspondre à votre recherche de "phototransistor bpv11". Vous pouvez resserrer cette recherche par types de catégories, ci-dessous:

CNY75A

CNY75A

Optocoupleur CNY75A. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 63...125 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.55€
Quantité en stock: 45
BPY62-4

BPY62-4

Récepteur IR BPY62-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±8°. Diamètre extérieur [mm]: 4.8mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.6mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 830nm. Longueur extérieure [mm]: 5.4mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Température maxi: +125°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.6mm...

7.69€
Quantité en stock: 100
4N25-LIT

4N25-LIT

Optocoupleur 4N25-LIT. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Equivalences: LTV-4N25. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Tf (type): 3us. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Vebo: 7V...

0.41€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 251
H11F1M

H11F1M

Optocoupleur H11F1M. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Délai de coupure tf [µsec.]: 45us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: optocoupleur à sortie FET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Remarque: R4-6 200 Ohms, VB4-6 30V. RoHS: oui. Sortie: Sortie FET. Spec info: photo-transistor à sortie FET, isolation 7500VAC/1s. Taux: -. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 45us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5.3 kV. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur, commutateur de signal. Type de sortie: FET, analog switch. VRRM: 5300V. [V]: ±30V. [intensité mA]: 16mA...

3.25€
+387 rapidement
Quantité en stock: 13
LED5-IR-F3BT

LED5-IR-F3BT

Infrarouge LED5-IR-F3BT. Angle de diffusion: 30°. Couleur: infrarouge. Courant maxi: 20mA. Diamètre/dimensions: 5mm. Dissipation de puissance maxi: 8...30mW. Format: cylindrique convexe T-1 3/4. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Matériau: bleu transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: attention, c'est une LED TRANSMETTEUR, donc ce n'est pas un RÉCEPTEUR, pas un photo transistor. RoHS: oui. Spec info: diode infrarouge (émetteur). Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V...

0.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 389