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2SK1120

2SK1120

Transistor canal N 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Marquage du fabricant: K1120. Marquage sur le boîtier: K1120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Convertisseur DC-DC et application d'entraînement de moteur. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V...

13.37€
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2SK1170

2SK1170

Transistor canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

11.73€
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2SK1213

2SK1213

Transistor canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V...

8.81€
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2SK1217

2SK1217

Transistor canal N 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

27.93€
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2SK1271

2SK1271

Transistor canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-3PN 13-16A1A. Tension Vds(max): 1400V. C (in): 1800pF. C (out): 500pF. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 240W. Fonction: Commutation haute tension. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

19.28€
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2SK1296

2SK1296

Transistor canal N 2SK1296, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

11.02€
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2SK1358

2SK1358

Transistor canal N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

8.92€
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2SK1393

2SK1393

Transistor canal N 2SK1393, TO-220, 250V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: K1393. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.54€
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2SK1404

2SK1404

Transistor canal N 2SK1404, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.48€
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2SK1460

2SK1460

Transistor canal N 2SK1460, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 3.6A. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.59€
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2SK1461

2SK1461

Transistor canal N 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1461. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.81€
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2SK1489

2SK1489

Transistor canal N 2SK1489, 21F1B, 1 kV. Boîtier: 21F1B. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2SK1489. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V...

23.68€
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2SK1507

2SK1507

Transistor canal N 2SK1507, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 27A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K1507. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

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2SK1529

2SK1529

Transistor canal N 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 180V. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1529. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

10.41€
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2SK2028

2SK2028

Transistor canal N 2SK2028, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Power MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: FAP-IIA Series. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

10.04€
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2SK2039

2SK2039

Transistor canal N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 690pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: haute vitesse. Id(imp): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

8.23€
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2SK2043

2SK2043

Transistor canal N 2SK2043, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K2043. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.70€
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2SK212

2SK212

Transistor canal N 2SK212, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. Id (T=25°C): 20mA. Idss (maxi): 12mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 20V. C (in): 4pF. C (out): 4pF. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Applications du syntoniseur FM. Idss (min): 0.6mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

1.20€
Quantité en stock: 22
2SK2141

2SK2141

Transistor canal N 2SK2141, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Transistor MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.44€
Quantité en stock: 1234
2SK2161

2SK2161

Transistor canal N 2SK2161, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS-L. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.46€
Quantité en stock: 111
2SK2251

2SK2251

Transistor canal N 2SK2251, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: FAP-IIA Series. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.07€
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