Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 20 sur 42

2SC5301

Transistor NPN 2SC5301, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 120W. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 8.729.033.99. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

42.73€

Produit obsolète
En rupture de stock

2SC5302

Transistor NPN 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Marquage sur le boîtier: C5302. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: vitesse rapide (tf=100ns typ). Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

5.60€

Quantité en stock: 30

2SC5359

Transistor NPN 2SC5359, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 180W. FT: 30 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Type de transistor: NPN...

9.60€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 24

2SC536

Transistor NPN 2SC536, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Ic(puls): 400mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA608. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

4.01€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 15

2SC5386

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: MONITOR Hi-res. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.52€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 17

2SC5387

Transistor NPN 2SC5387, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Fonction: VCE(sat) 3V max. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 'Triple Diffused MESA Type'. Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.62€

Quantité en stock: 131

2SC5411

Transistor NPN 2SC5411, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 64kHz. Fonction: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(puls): 28A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VCE(sat) max. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

4.33€

Quantité en stock: 44

2SC5411-TOS

Transistor NPN 2SC5411-TOS, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 190pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 2 MHz. Fonction: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fH--64KHz. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf (type): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.73€

Quantité en stock: 7

2SC5447-PMC

Transistor NPN 2SC5447-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 64kHz. Fonction: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Type de transistor: NPN...

1.90€

Quantité en stock: 7

2SC5449

Transistor NPN 2SC5449, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: kHz. Fonction: Sortie de déviation horizontale. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5449. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Commutation à haute vitesse. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V...

2.95€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1000

2SC5488A

Transistor NPN 2SC5488A, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Courant de collecteur: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. FT: 7GHz. Fonction: VHF/UHF. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 90. Marquage sur le boîtier: LN. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS LN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V...

1.04€

Quantité en stock: 55

2SC5583

Transistor NPN 2SC5583, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 3 MHz. Fonction: Samsung Monitor 19 inch. Gain hFE maxi: 12. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: C5583. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'Triple diffusion mesa type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

25.49€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1

2SC5588

Transistor NPN 2SC5588, 15A, 800V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: hi-res, monitor 19. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V...

12.64€

Quantité en stock: 9

2SC5696

Transistor NPN 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 85W. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: oui. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V...

5.14€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 5

2SC5698

Transistor NPN 2SC5698, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: kHz. Fonction: haute vitesse, CTV-HA. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5698. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.94€

Quantité en stock: 5

2SC5706-E

Transistor NPN 2SC5706-E, TO-251, 7.5A. Boîtier: TO-251. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

2.47€

Quantité en stock: 99

2SC5706FA

Transistor NPN 2SC5706FA, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 7.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

2.00€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 380

2SC5707

Transistor NPN 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 100dB. Vcbo: 80V...

1.00€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 886

2SC5707FA

Transistor NPN 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.95€

Quantité en stock: 212

2SC5717

Transistor NPN 2SC5717, 21A, 700V. Courant de collecteur: 21A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Fonction: Commutation à haute vitesse. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

9.50€

Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1

2SC5793

Transistor NPN 2SC5793, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V...

3.75€

Quantité en stock: 318

2SC5803

Transistor NPN 2SC5803, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 70W. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5803. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

3.87€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 27

2SC5858

Transistor NPN 2SC5858, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 22A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 44A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V...

14.37€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 39

2SC5859

Transistor NPN 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 23A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 210W. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 55. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 46A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V...

11.13€

Quantité en stock: 1

Rechercher "transistor j107"