Rechercher "phototransistor bpv11"

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L-93DP3BT

L-93DP3BT

Récepteur IR L-93DP3BT. Angle de diffusion: 30°. Angle de détection: 30°. Boîtier: LED 3mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 35mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Famille de composants: phototransistor infrarouge. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Longueur d'onde: 940nm. Matériau: transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15us. Type de lentille: bleu transparent. Type de transistor: NPN. VECO: 5V...

0.25€
+1326 rapidement
Quantité en stock: 319
L-53P3C

L-53P3C

Récepteur IR L-53P3C. Angle de détection: 30°. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Boîtier: LED 5mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 3mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Famille de composants: phototransistor infrarouge. Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Longueur d'onde: 940nm. Matériau: transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Spec info: lentille transparente. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15us. Type de canal: N. Type de lentille: transparente. VECO: 5V...

0.29€
+1039 rapidement
Quantité en stock: 120
IL207AT

IL207AT

Optocoupleur IL207AT. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. CTR: 100...200 %. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Puissance de la diode: 90mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 3us. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V...

0.50€
Quantité en stock: 78
MOCD207M

MOCD207M

Optocoupleur MOCD207M. Boîtier (selon fiche technique): DIP SMD-8. Boîtier: SMD. CTR: 100...200 %. Courant IF Diode (crête): 1 A (PW=100us, 120pps). Courant de collecteur: 150mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, double canal. Marquage sur le boîtier: D207. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Puissance de la diode: 90mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 1.05V. Tf (type): 4.7us. Tr: 3.2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V...

1.35€
Quantité en stock: 54
BP103-4

BP103-4

Récepteur IR BP103-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±55°. Diamètre extérieur [mm]: 4.3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 5.5mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Température maxi: +80°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm...

3.32€
Quantité en stock: 597
VEMT3700F-GS08

VEMT3700F-GS08

Récepteur IR VEMT3700F-GS08. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3.5x2.8x1.75mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±60°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 2.8mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 940nm. Longueur extérieure [mm]: 3.5mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 1.75mm...

0.97€
Quantité en stock: 410
SFH309-5

SFH309-5

Récepteur IR SFH309-5. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 860nm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm...

0.88€
Quantité en stock: 396
TEPT4400

TEPT4400

Récepteur IR TEPT4400. Angle de détection: 30°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±30°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Diamètre: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: -. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 3.2mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 570nm. Longueur extérieure [mm]: 4.4mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: -. Température maxi: +85°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 6V. Type de lentille: transparente. Épaisseur extérieure [mm]: 3.2mm...

1.18€
Quantité en stock: 1820
CNY75C

CNY75C

Optocoupleur CNY75C. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 160...320 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.55€
Quantité en stock: 190
SFH309FA-4

SFH309FA-4

Récepteur IR SFH309FA-4. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 7us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 7us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm...

1.18€
Quantité en stock: 2782
4N26

4N26

Optocoupleur 4N26. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 2us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 20 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.49€
+662 rapidement
Quantité en stock: 197
BPW96B

BPW96B

Récepteur IR BPW96B. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.3us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm...

0.65€
Quantité en stock: 2056
BPW77NB

BPW77NB

Récepteur IR BPW77NB. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±10°. Diamètre extérieur [mm]: 4.69mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.5mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 6.15mm. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +125°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.5mm...

5.03€
Quantité en stock: 298
TCST1300

TCST1300

Capteur optique TCST1300. CTR: 1.25...2.6 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 0.5mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: Capteur optique transmissif avec sortie phototransistor. Ic(puls): 200mA. Longueur d'onde (dominante): 950nm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Spec info: ouverture 3.1mm, écart du capteur 0.25mm. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 6V. VECO: 7V...

1.69€
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Quantité en stock: 49
L-53P3BT

L-53P3BT

Récepteur IR L-53P3BT. Boîtier (selon fiche technique): cylindrique convexe T-1 3/4. Boîtier: LED 5mm. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur: 3mA. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Divers: phototransistor infrarouge (récepteur). Fonction: phototransistor NPN. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Matériau: bleu transparent. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Spec info: lentille transparente bleue. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.8V. Tf (type): 15us. Tr: 15 ns. Type de canal: N. VECO: 5V...

0.28€
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Quantité en stock: 595
CNY75GB

CNY75GB

Optocoupleur CNY75GB. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 100...200 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 4.7us. Tr: 4.2us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.57€
Quantité en stock: 68
QRE1113GR

QRE1113GR

Capteur optique QRE1113GR. Alimentation électrique: 5V 50mA. Dimensions: 3.6x2.9x1.7mm. Diode IF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 50mW. Longueur d'onde (dominante): 940nm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance de la diode: 75mW. Remarque: Reel Sensor. RoHS: oui. Sortie: réfléchissant, sortie phototransistor. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de seuil de la diode: 1.2V...

1.27€
Quantité en stock: 40
CNY75GA

CNY75GA

Optocoupleur CNY75GA. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 63...125 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 70mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 70mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+110°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2.5us. VECO: 7V. VRRM: 6000V. Vcbo: 70V...

0.52€
Quantité en stock: 64