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2SA1370

2SA1370

Transistor PNP 2SA1370, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 150 MHz. Fonction: vidéo. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 5V...

2.16€
Quantité en stock: 7
2SC1214

2SC1214

Transistor NPN 2SC1214, D35/B, 500mA. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.75€
Quantité en stock: 7
2SC3655

2SC3655

Transistor NPN 2SC3655, TO-92, 100mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.45€
Quantité en stock: 7
2SC3795A

2SC3795A

Transistor NPN 2SC3795A, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. C (in): 4pF. C (out): 10pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V...

2.69€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
2SC382

2SC382

Transistor NPN 2SC382, TO-98, 50mA. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

0.90€
Quantité en stock: 7
2SC3886A

2SC3886A

Transistor NPN 2SC3886A, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: -. Marquage sur le boîtier: C3886A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: -. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

3.71€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
2SC5144

2SC5144

Transistor NPN 2SC5144, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F2A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 1.7 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 40A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Monitor -HA. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V...

6.81€
Quantité en stock: 7
2SC5411-TOS

2SC5411-TOS

Transistor NPN 2SC5411-TOS, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 190pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 2 MHz. Fonction: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: fH--64KHz. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf (type): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V...

4.73€
Quantité en stock: 7
2SC5447-PMC

2SC5447-PMC

Transistor NPN 2SC5447-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 64kHz. Fonction: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Type de transistor: NPN...

1.90€
Quantité en stock: 7
2SC929

2SC929

Transistor NPN 2SC929, A21/B, 30mA. Boîtier: A21/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.12W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V/10V...

0.57€
Quantité en stock: 7
2SD1062

2SD1062

Transistor NPN 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

1.20€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
2SD1133

2SD1133

Transistor NPN 2SD1133, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V...

1.70€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
2SD1802

2SD1802

Transistor NPN 2SD1802, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V...

0.78€
Quantité en stock: 7
2SD330

2SD330

Transistor NPN 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Ic(puls): 5A. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.83€
Quantité en stock: 7
2SK1117

2SK1117

Transistor canal N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7
300-X-200-X-60

300-X-200-X-60

Coffret-boîtier métallique 300-X-200-X-60, 300mm. Largeur extérieure [mm]: 300mm. Configuration: pour poste de travail, noir, face avant gris clair. Couleur: Gris clair/noir. Famille de composants: Boîtier métallique pour électronique. Groupe de produits du fabricant: -. Hauteur extérieure [mm]: 60mm. Hauteur intérieure: -. Largeur intérieure: -. Matériau: Aluminium. Profondeur externe [mm]: 200mm. Profondeur intérieure: -. RoHS: oui...

44.79€
Quantité en stock: 7