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2SC2003

2SC2003

Transistor NPN 2SC2003, TO-92, 300mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.57€
Quantité en stock: 2
2SC2023

2SC2023

Transistor NPN 2SC2023, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 10 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

4.99€
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2SC2058

2SC2058

Transistor NPN 2SC2058, TO-92, 50mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V...

0.33€
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2SC2060

2SC2060

Transistor NPN 2SC2060, D18/C, 700mA. Boîtier: D18/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V...

0.67€
Quantité en stock: 8
2SC2063

2SC2063

Transistor NPN 2SC2063, E-33, 50mA. Boîtier: E-33. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/25V...

0.49€
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2SC2073

2SC2073

Transistor NPN 2SC2073, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 4 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA940. Type de transistor: NPN...

1.61€
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2SC2210

2SC2210

Transistor NPN 2SC2210, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

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2SC2236

2SC2236

Transistor NPN 2SC2236, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 900mW. FT: 120MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA966. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

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2SC2240BL

2SC2240BL

Transistor NPN 2SC2240BL, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Marquage sur le boîtier: C2240BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970BL. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

2.03€
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2SC2240GR

2SC2240GR

Transistor NPN 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: C224GR. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA970GR. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

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2SC2274

2SC2274

Transistor NPN 2SC2274, TO-92, 500mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V...

0.58€
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2SC2275

2SC2275

Transistor NPN 2SC2275, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

5.27€
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2SC2295

2SC2295

Transistor NPN 2SC2295, TO-236, 30mA. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

0.60€
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2SC2344

2SC2344

Transistor NPN 2SC2344, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 100MHz. Fonction: Amplificateur de puissance AF à commutation haute tension. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1011. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

3.72€
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2SC2352

2SC2352

Transistor NPN 2SC2352, TO-92, 30mA. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V...

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2SC2383

2SC2383

Transistor NPN 2SC2383, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

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2SC2412

2SC2412

Transistor NPN 2SC2412, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Température: +155°C. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V...

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2SC2482

2SC2482

Transistor NPN 2SC2482, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hauteur 5mm. Type de transistor: NPN...

0.32€
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