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30DF4

Diode 30DF4, 3A, DO-27, DO-27( 5.5x9.5mm ), 400V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 200App/10ms...

30HFU600

31DF6

Diode 31DF6, 3A, 45A, DO-201, DO-201AD ( 5.6x10mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 45A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Fonction: Ultra-Fast Recovery. IRM (max): 100uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Trr Diode (Min.): 35 ns...

10A10

Diode 10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. Boîtier: R-6. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Courant d'impulsion max.: 400A. Courant: 10A. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage du fabricant: 28.7k Ohms. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 1kV. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement...

12CWQ10FN

Diode 12CWQ10FN, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. Fonction: diode de redressement Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Structure diélectrique: Cathode commune. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V...

150EBU02

Diode 150EBU02, 150A, 1600A, POWERTAB, 200V. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

150EBU04

Diode 150EBU04, 150A, 1500A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires...

19TQ015

Diode 19TQ015, 19A, TO-220, TO-220AB, 15V. IF(AV): 19A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 15V. Diode Schottky?: Schottky. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 700App/5us, 330App/10ms. Température de fonctionnement: -55...+175°C...

1N4002

1N4003

Diode 1N4003, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Type de diode: diode de redressement...

1N4004

Diode 1N4004, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 400V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4005

Diode 1N4005, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V...

1N4007

Diode 1N4007, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap/8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4148

1N4148W

1N4148WS

1N4149

Diode 1N4149, 500mA, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns...

3EZ16

Diode Zéner 3EZ16, 3W, DO-15, DO-204AC, 16V. Dissipation de puissance maxi: 3W. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. Tension Zéner: 16V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui...

3H-YEL

Diode LED 3H-YEL, jaune, -. Couleur: jaune. Diamètre extérieur [mm]: -. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 3x3mm, triangulaire. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Demi-angle de rayonnement 2 Thêta 1/2 [°]: -. Famille de composants: LED. If [mA]: -. Largeur extérieure [mm]: -. Longueur d'onde dominante [nm]: -. Longueur extérieure [mm]: -. Luminosité [mCd @ mA]: -. Nombre de bornes: 2. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension de seuil Uf [V @ mA]: -. Épaisseur extérieure [mm]: -...

3JU41

Diode 3JU41, 3A, DO-201, DO-201AD 8x6mm, 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 200 ns. IRM (max): 100uA. Marquage sur le boîtier: 3JU. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): -. Trr Diode (Min.): 100 ns...

3WJY48W

Diode LED 3WJY48W, fehér hideg, fehér. Couleur: fehér hideg, fehér. Angle de diffusion: 120°. Courant d'alimentation: 700mA. Format de lentille: convexe. Puissance: 3W. Tension de fonctionnement: 3.6V. Type de diode: LED haute puissance. Type de lentille: transparent...

3XL7090CN-L100-C2-N

Diode LED 3XL7090CN-L100-C2-N...

1N4150

Diode 1N4150, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.3A. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Fonction: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+200°C...

40EPS16PBF

Diode 40EPS16PBF, TO-247AC, 40A. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 40A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..1mA. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Ifsm [A]: 475A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.6 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 40A...