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2SB1470

2SB1470

Transistor PNP 2SB1470, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

8.05€
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2SB1560

2SB1560

Transistor PNP 2SB1560, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V...

6.15€
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor PNP 2SB1560-SKN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

6.15€
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2SB1565

2SB1565

Transistor PNP 2SB1565, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394. Type de transistor: PNP...

0.93€
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2SB1587

2SB1587

Transistor PNP 2SB1587, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2438. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

3.37€
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2SB1588

2SB1588

Transistor PNP 2SB1588, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2439. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

2.80€
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2SB1624

2SB1624

Transistor PNP 2SB1624, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 60 MHz. Fonction: NF-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

4.58€
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2SB1647

2SB1647

Transistor PNP 2SB1647, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 130W. FT: 45 MHz. Fonction: amplificateur de puissance et régulateur audio HI-FI. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2560. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

17.45€
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2SB1659

2SB1659

Transistor PNP 2SB1659, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 100pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: -. Gain hFE mini: 5000. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Vebo: 5V...

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2SB511

2SB511

Transistor PNP 2SB511, TO-220AB, 35V, 1.5A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

1.26€
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2SB514

2SB514

Transistor PNP 2SB514, TO-220AB, 50V, 2A. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

1.04€
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2SB526

2SB526

Transistor PNP 2SB526, M17/J, 90V/80V, 800mA. Boîtier: M17/J. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V/80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

2.21€
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2SB542

2SB542

Transistor PNP 2SB542, TO-92, 20V/15V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

1.62€
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2SB544

2SB544

Transistor PNP 2SB544, D17/C, 25V, 1A. Boîtier: D17/C. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.49€
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2SB562C

2SB562C

Transistor PNP 2SB562C, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 350 MHz. Fonction: hFE 120...240. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD468. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V...

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2SB643

2SB643

Transistor PNP 2SB643, D8/C, 30V/25V, 500mA. Boîtier: D8/C. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

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2SB647

2SB647

Transistor PNP 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

1.44€
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2SB647-SMD

2SB647-SMD

Transistor PNP 2SB647-SMD, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vebo: 5V...

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