Rechercher "P-SUP-DR4524"

Nous vous proposons une sélection de 248 produits pouvant correspondre à votre recherche de "P-SUP-DR4524" (Transistors FET et MOSFET canal P)

IRFI9540GPBF

IRFI9540GPBF

Transistor canal P IRFI9540GPBF, ITO-220AB, -100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFI9540GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

4.73€
Quantité en stock: 131
IRFI9630G

IRFI9630G

Transistor canal P IRFI9630G, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 28ns. Id (T=100°C): 2.7A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2.28€
Quantité en stock: 183
IRFI9634G

IRFI9634G

Transistor canal P IRFI9634G, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 4.1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 34ns. Id (T=100°C): 2.6A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

3.12€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 16
IRFL110

IRFL110

Transistor canal P IRFL110, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.5A. Idss (maxi): 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id (T=100°C): 0.96A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: b47kaa. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

0.91€
Quantité en stock: 2783
IRFL9014TRPBF

IRFL9014TRPBF

Transistor canal P IRFL9014TRPBF, SOT-223, -60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FE. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

0.89€
Quantité en stock: 1381
IRFL9110

IRFL9110

Transistor canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id (T=100°C): 0.69A. Id(imp): 8.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.87€
Quantité en stock: 78
IRFL9110PBF

IRFL9110PBF

Transistor canal P IRFL9110PBF, SOT-223, -100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.77€
Quantité en stock: 42
IRFP9140N

IRFP9140N

Transistor canal P IRFP9140N, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 16A. Id(imp): 76A. Idss (min): 25mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.46€
Quantité en stock: 18
IRFP9140NPBF

IRFP9140NPBF

Transistor canal P IRFP9140NPBF, TO-247AC, -100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFP9140NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

2.96€
Quantité en stock: 273
IRFP9140PBF

IRFP9140PBF

Transistor canal P IRFP9140PBF, TO-247AC, -100V, 21A, -100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 21A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFP9140PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 180W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.55€
+1 rapidement
Quantité en stock: 29
IRFP9240

IRFP9240

Transistor canal P IRFP9240, TO-247, 12A, 500uA, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Charge: 44nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -12A, -7.5A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 7.5A. Id(imp): 48A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.5 Ohms. Résistance passante Rds On: 0.57 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP240. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.56€
Quantité en stock: 31
IRFP9240PBF

IRFP9240PBF

Transistor canal P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V. Boîtier: TO247. Tension drain - source (Vds): -200V. Courant de drain maxi: 12A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 12A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP9240PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 150W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.5 Ohms. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -200V...

3.55€
+54 rapidement
Quantité en stock: 43
IRFR5305

IRFR5305

Transistor canal P IRFR5305, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 22A. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFR5305. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.18€
+509 rapidement
Quantité en stock: 149
IRFR5505

IRFR5505

Transistor canal P IRFR5505, D-PAK ( TO-252 ), 18A, 250uA, D-PAK TO-252AA, 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 55V. C (in): 650pF. C (out): 270pF. Charge: 21.3nC. Courant de drain: -18A. Dissipation de puissance maxi: 57W. Equivalences: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 11A. Id(imp): 64A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 57W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 2.2K/W. Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€
+5 rapidement
Quantité en stock: 84
IRFR9014

IRFR9014

Transistor canal P IRFR9014, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 3.2A. Id(imp): 20A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Td(off): 9.6 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: P. Type de transistor: FET. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€
Quantité en stock: 24
IRFR9014TRPBF

IRFR9014TRPBF

Transistor canal P IRFR9014TRPBF, D-PAK, TO-252, -60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRFR9014PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.18€
Quantité en stock: 2500
IRFR9024

IRFR9024

Transistor canal P IRFR9024, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 35A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

0.88€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 165
IRFR9024N

IRFR9024N

Transistor canal P IRFR9024N, D-PAK ( TO-252 ), 11A, 250uA, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 350pF. C (out): 170pF. Charge: 12.7nC. Courant de drain: -11A. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 8A. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 38W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.175 Ohms. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 23 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 47 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.05€
+25 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 211
IRFR9024NTRLPBF

IRFR9024NTRLPBF

Transistor canal P IRFR9024NTRLPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FR9024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.77€
Quantité en stock: 2500
IRFR9024NTRPBF

IRFR9024NTRPBF

Transistor canal P IRFR9024NTRPBF, D-PAK, TO-252, -55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: FR9024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

1.77€
+1832 rapidement
Quantité en stock: 750
IRFR9024PBF

IRFR9024PBF

Transistor canal P IRFR9024PBF, TO252AA, TO-252, -60V. Boîtier: TO252AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -8.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Dissipation de puissance maxi: 42W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 8.8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFR9024PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. RoHS: oui. Série: IRFR. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Vdss (tension drain à source): -60V...

1.77€
Quantité en stock: 29
IRFR9120

IRFR9120

Transistor canal P IRFR9120, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 5.6A. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Technologie: HEXFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

0.87€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
IRFR9120N

IRFR9120N

Transistor canal P IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 4.2A. Id(imp): 26A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.12€
Quantité en stock: 107