STD10P6F6
Transistor canal P STD10P6F6, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 10A, 10uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 340pF. C (out): 40pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ -10A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: circuits de commutation. Id (T=100°C): 7.2A. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 10P6F6. Marquage sur le boîtier: 10P6F6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 64 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...
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