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IRLIB4343

IRLIB4343

Transistor canal N IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 740pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 80A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

40.56€
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IRLIB9343

IRLIB9343

Transistor canal N IRLIB9343, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 93m Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 660pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 60A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+170°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.63€
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IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF

Transistor canal N IRLL014NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL014N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.06€
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IRLL024NTRPBF

IRLL024NTRPBF

Transistor canal N IRLL024NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.01€
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IRLL110TRPBF

IRLL110TRPBF

Transistor canal N IRLL110TRPBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 250pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.3 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.81€
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IRLL2703

IRLL2703

Transistor canal N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Id(imp): 16A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€
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IRLL2703PBF

IRLL2703PBF

Transistor canal N IRLL2703PBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€
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IRLL2703TRPBF

IRLL2703TRPBF

Transistor canal N IRLL2703TRPBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€
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IRLL2705TRPBF

IRLL2705TRPBF

Transistor canal N IRLL2705TRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2705. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.89€
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IRLML2502

IRLML2502

Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 4.2A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 0.6V...

0.23€
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF

Transistor canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V...

1.18€
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IRLML2803

IRLML2803

Transistor canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 540mW. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.33€
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IRLML2803PBF

IRLML2803PBF

Transistor canal N IRLML2803PBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€
Quantité en stock: 124
IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

Transistor canal N IRLML2803TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 85pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.54W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.53€
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IRLML6344TRPBF

IRLML6344TRPBF

Transistor canal N IRLML6344TRPBF, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.1V...

0.88€
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IRLR024N

IRLR024N

Transistor canal N IRLR024N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 5V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Equivalences: IRLR024NPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

0.75€
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IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF

Transistor canal N IRLR024NTRPBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 10nC. Courant de drain: 17A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 38W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.35€
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IRLR120N

IRLR120N

Transistor canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€
Quantité en stock: 62
IRLR2705

IRLR2705

Transistor canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 75. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.01€
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IRLR2705PBF

IRLR2705PBF

Transistor canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 28A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 68W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.47€
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IRLR2905

IRLR2905

Transistor canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Charge: 32nC. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 42A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.8K/W. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.17€
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IRLR2905TRPBF

IRLR2905TRPBF

Transistor canal N IRLR2905TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 42A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLR2905PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.59€
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