Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 33 sur 42

IRG4BC30U

Transistor canal N IRG4BC30U, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Courant de collecteur: 23A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Ic(puls): 92A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 175 ns. Td(on): 27 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.59V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

3.90€

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IRG4BC30UD

Transistor canal N IRG4BC30UD, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 23A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: UltraFast CoPack IGBT. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG4BC30UD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50...

7.41€

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IRG4BC30W

Transistor canal N IRG4BC30W, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 980pF. C (out): 71pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 23A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET de puissance jusqu'à 150 kHz. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG 4BC30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Td(off): 99 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50...

5.04€

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IRG4PC30KD

Transistor canal N IRG4PC30KD, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 920pF. C (out): 110pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 28A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: -. Ic(puls): 58A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor IGBT ultra-rapide. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.21V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

4.37€

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IRG4PC30UD

Transistor canal N IRG4PC30UD, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Id (T=100°C): 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1100pF. C (out): 73pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 23A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: ULTRA FAST. Ic(puls): 92A. Marquage sur le boîtier: IRG4PC30UD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

9.12€

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IRG4PC40FDPBF

Transistor canal N IRG4PC40FDPBF, TO-247, TO-247AC, 27A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2200pF. C (out): 140pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 200A. Courant de collecteur Ic [A]: 49A. Courant de collecteur: 49A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Ic(puls): 84A. Marquage du fabricant: IRG4PC40FD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 63 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N...

8.47€

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IRG4PC40K

Transistor canal N IRG4PC40K, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 42A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Ic(puls): 84A. Marquage sur le boîtier: G4PC40K. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

6.45€

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IRG4PC40KD

Transistor canal N IRG4PC40KD, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Courant de collecteur: 42A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Ic(puls): 84A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N...

6.46€

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IRG4PC40U

Transistor canal N IRG4PC40U, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2100pF. C (out): 140pF. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Ic(puls): 160A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.72V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

6.62€

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IRG4PC40W

Transistor canal N IRG4PC40W, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1900pF. C (out): 140pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Ic(puls): 160A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30...

8.42€

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IRG4PC60FP

Transistor canal N IRG4PC60FP, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 6050pF. C (out): 360pF. Courant de collecteur: 90A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 520W. Fonction: 'Fast Speed IGBT'. Ic(puls): 360A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

11.90€

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IRG4PH40U

Transistor canal N IRG4PH40U, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1800pF. C (out): 120pF. Courant de collecteur: 41A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Ic(puls): 82A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.43V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.1V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

6.40€

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IRG4PH50K

Transistor canal N IRG4PH50K, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Courant de collecteur: 45A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic(puls): 90A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(off): 200 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

8.82€

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IRG4PH50KD

Transistor canal N IRG4PH50KD, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 45A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Ic(puls): 90A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

17.76€

Quantité en stock: 12

IRG4PH50U

Transistor canal N IRG4PH50U, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 3600pF. C (out): 160pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 45A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

9.42€

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IRGB15B60KD

Transistor canal N IRGB15B60KD, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 850pF. C (out): 75pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 31A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 208W. Ic(puls): 62A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 92 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50...

6.64€

Quantité en stock: 42

IRGP4068D

Transistor canal N IRGP4068D, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3025pF. C (out): 245pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 90A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Ic(puls): 144A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

11.88€

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IRGP4086

Transistor canal N IRGP4086, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 2250pF. C (out): 110pF. Courant de collecteur: 70A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 160W. Ic(puls): 250A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 112 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -40...+140°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.29V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.57V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25...

6.79€

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IRL1004S

Transistor canal N IRL1004S, D²-PAK, TO-263, 40V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 130A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L1004S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

3.55€

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IRL1404

Transistor canal N IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6590pF. C (out): 1710pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 640A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

3.50€

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IRL1404PBF

Transistor canal N IRL1404PBF, 40V, 0.004 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 160A. Puissance: 200W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.71€

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IRL1404Z

Transistor canal N IRL1404Z, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Id(imp): 790A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.65€

Quantité en stock: 108

IRL1404ZPBF

Transistor canal N IRL1404ZPBF, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.14€

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IRL1404ZS

Transistor canal N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5080pF. C (out): 970pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 790A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.26€

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