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IRFZ44V

IRFZ44V

Transistor canal N IRFZ44V, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Dissipation de puissance maxi: 115W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.47€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 225
IRFZ46N

IRFZ46N

Transistor canal N IRFZ46N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 107W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.20€
Quantité en stock: 133
IRFZ46NL

IRFZ46NL

Transistor canal N IRFZ46NL, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1696pF. C (out): 407pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.27€
Quantité en stock: 11
IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

Transistor canal N IRFZ46NPBF, TO220AB, 55V, 50V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1696pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Dissipation de puissance maxi: 107W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 53A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ46NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5m Ohms / 28A / 10V. Série: IRFZ. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

2.36€
Quantité en stock: 180
IRFZ48N

IRFZ48N

Transistor canal N IRFZ48N, TO-220, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Charge: 54nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 64A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 94W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.6K/W. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.49€
+25 rapidement
Quantité en stock: 131
IRFZ48NPBF

IRFZ48NPBF

Transistor canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1970pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain maxi: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 64A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ48NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 130W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.36€
+75 rapidement
Quantité en stock: 355
IRL1004S

IRL1004S

Transistor canal N IRL1004S, D²-PAK, TO-263, 40V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 130A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L1004S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

3.55€
Quantité en stock: 49
IRL1404

IRL1404

Transistor canal N IRL1404, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6590pF. C (out): 1710pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 640A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 63 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

3.50€
Quantité en stock: 81
IRL1404Z

IRL1404Z

Transistor canal N IRL1404Z, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Commutation rapide, commande de porte au niveau logique. Id(imp): 790A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.65€
Quantité en stock: 108
IRL1404ZPBF

IRL1404ZPBF

Transistor canal N IRL1404ZPBF, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.14€
Quantité en stock: 37
IRL1404ZS

IRL1404ZS

Transistor canal N IRL1404ZS, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 5080pF. C (out): 970pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 790A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.26€
Quantité en stock: 69
IRL2203N

IRL2203N

Transistor canal N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.95€
Quantité en stock: 37
IRL2203NPBF

IRL2203NPBF

Transistor canal N IRL2203NPBF, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL2203NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.73€
Quantité en stock: 247
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Transistor canal N IRL2203NSPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

4.73€
Quantité en stock: 1
IRL2203NSTRLPBF

IRL2203NSTRLPBF

Transistor canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

5.32€
Quantité en stock: 798
IRL2505

IRL2505

Transistor canal N IRL2505, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 74A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 360A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.30€
Quantité en stock: 156
IRL2505STRLPBF

IRL2505STRLPBF

Transistor canal N IRL2505STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 104A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2505S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

6.51€
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IRL2910

IRL2910

Transistor canal N IRL2910, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3700pF. C (out): 630pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 190A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 49 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

3.06€
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IRL3502

IRL3502

Transistor canal N IRL3502, TO-220AB, 20V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3502. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€
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IRL3502SPBF

IRL3502SPBF

Transistor canal N IRL3502SPBF, D²-PAK, TO-263, 20V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3502S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.73€
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IRL3705N

IRL3705N

Transistor canal N IRL3705N, TO-220, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 63A. Id (T=25°C): 89A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3600pF. C (out): 870pF. Charge: 65.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 89A. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Id(imp): 310A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 94us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

3.22€
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IRL3705NPBF

IRL3705NPBF

Transistor canal N IRL3705NPBF, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 89A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3705N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€
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IRL3713

IRL3713

Transistor canal N IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5890pF. C (out): 3130pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Rds très faible. Id(imp): 1040A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

3.26€
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