Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

DMHC3025LSD-13

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marquage du fabricant: C3025LS. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V...

1.18€

Quantité en stock: 4398

FCP11N60

Transistor canal N FCP11N60, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.78€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 7

FCPF11N60

Transistor canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Tension drain - source (Vds): 650V. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Courant de drain maxi: 11A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.99€

+3333 rapidement
Quantité en stock: 53

FDA16N50-F109

Transistor canal N FDA16N50-F109, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 16.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.31 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1495pF. C (out): 235pF. Dissipation de puissance maxi: 205W. Fonction: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDA16N50. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 490 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.12€

Quantité en stock: 40

FDA24N40F

Transistor canal N FDA24N40F, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2280pF. C (out): 370pF. Dissipation de puissance maxi: 235W. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FDA24N40F. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.60€

Quantité en stock: 60

FDA50N50

Transistor canal N FDA50N50, TO-3P, 500V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6460pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 48A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 460 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDA50N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 220 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

20.72€

Quantité en stock: 1

FDA59N25

Transistor canal N FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3090pF. C (out): 630pF. Dissipation de puissance maxi: 392W. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

5.49€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 76

FDA69N25

Transistor canal N FDA69N25, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 44.2A. Id (T=25°C): 69A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.034 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 3570pF. C (out): 750pF. Dissipation de puissance maxi: 480W. Fonction: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

6.88€

Quantité en stock: 29

FDB8447L

Transistor canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. Id (T=100°C): -. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0087 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

3.30€

Quantité en stock: 58

FDC6324L

Transistor canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V. Boîtier: SUPERSOT-6. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 8V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.5A/1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.38€

+441 rapidement
Quantité en stock: 2830

FDD5690

Transistor canal N FDD5690, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 9A, 30A, 1uA, 0.023 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1110pF. C (out): 150pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: DC/DC Converter, Low gate charge (23nC). Id(imp): 100A. Marquage du fabricant: FDD5690. Marquage sur le boîtier: FDD5690. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.54€

+3938 rapidement
Quantité en stock: 2342

FDD6296

Transistor canal N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 52W. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V...

3.44€

Quantité en stock: 293

FDD6635

Transistor canal N FDD6635, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 59A. Idss (maxi): 59A. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1400pF. C (out): 317pF. Dissipation de puissance maxi: 55W. Id(imp): 100A. Marquage sur le boîtier: FDD6635. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.71€

Quantité en stock: 82

FDD6672A

Transistor canal N FDD6672A, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 8.2M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5070pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Td(off): 69 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V...

3.58€

Quantité en stock: 258

FDD770N15A

Transistor canal N FDD770N15A, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: High performance trench technology. RoHS: oui. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.86€

Quantité en stock: 64

FDD8447L

Transistor canal N FDD8447L, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 15.2A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.085 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDD8447L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.42€

Quantité en stock: 1381

FDD8878

Transistor canal N FDD8878, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 880pF. C (out): 195pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) min.: 1.2V...

1.02€

Quantité en stock: 25

FDH3632

Transistor canal N FDH3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.61€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 30

FDH45N50F-F133

Transistor canal N FDH45N50F-F133, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

13.74€

Quantité en stock: 30

FDP18N50

Transistor canal N FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 235W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.39€

Quantité en stock: 46

FDP2532

Transistor canal N FDP2532, 150V, TO-220, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220AB, 150V. Tension drain - source (Vds): 150V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 79A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 5870pF. C (out): 615pF. Courant de drain maxi: 79A. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 310W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.96€

+28 rapidement
Quantité en stock: 150

FDP3632

Transistor canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.62€

Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 5

FDP3652

Transistor canal N FDP3652, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 61A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2880pF. C (out): 3990pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.29€

Quantité en stock: 45

FDPF12N50NZ

Transistor canal N FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 945pF. C (out): 155pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 46A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (23nC typique), Low Crss 14pF. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.63€

Quantité en stock: 24

Rechercher "resistance 680 ohms 5w sqp5 680r"