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Nous vous proposons une sélection de 533 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires PNP)

2N2211A

2N2211A

Transistor PNP 2N2211A, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 8 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: GE. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V...

5.57€
Quantité en stock: 143
2N2904

2N2904

Transistor PNP 2N2904, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

1.26€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 213
2N2904A

2N2904A

Transistor PNP 2N2904A, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.54€
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2N2905-A

2N2905-A

Transistor PNP 2N2905-A, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Boîtier: TO-39. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: 2N2905A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C...

2.07€
Quantité en stock: 1271
2N2905A

2N2905A

Transistor PNP 2N2905A, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 200 MHz. Fonction: transistor de commutation, amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.83€
Quantité en stock: 129
2N2907A

2N2907A

Transistor PNP 2N2907A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V, 600mA, 0.6A, TO-18, 60V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 200 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: applications de commutation et linéaire DC. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Marquage du fabricant: 2N2907A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Amplificateur VHF. Température maxi: +200°C.. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 30 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.82€
+312 rapidement
Quantité en stock: 32
2N2907A-PL

2N2907A-PL

Transistor PNP 2N2907A-PL, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 200 MHz. Fonction: Hfe 100. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 0.8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.0939€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 454
Minimum: 10
2N3906

2N3906

Transistor PNP 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Marquage du fabricant: 2N3906. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0431€
+717 rapidement
Quantité en stock: 3036
Minimum: 10
2N3906BU

2N3906BU

Transistor PNP 2N3906BU, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Marquage du fabricant: 2N3906. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.21€
Quantité en stock: 1807
2N4033

2N4033

Transistor PNP 2N4033, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39 ( TO-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 20pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 150...500 MHz. Fonction: S. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.15V. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.94€
Quantité en stock: 22
2N4403

2N4403

Transistor PNP 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 200 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Marquage du fabricant: 2N4403. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0599€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 1229
Minimum: 10
2N4403BU

2N4403BU

Transistor PNP 2N4403BU, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 2000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.10€
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Quantité en stock: 446
Minimum: 5
2N5087-CDIL

2N5087-CDIL

Transistor PNP 2N5087-CDIL, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 40 MHz. Fonction: pré-amplificateur. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 3V...

0.17€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 331
2N5401

2N5401

Transistor PNP 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 400MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Gain hfe: 240. Marquage du fabricant: 2N5401. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 2N5401. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

0.0708€
+4010 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1825
Minimum: 10
2N5415

2N5415

Transistor PNP 2N5415, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 4 v...

0.94€
Quantité en stock: 47
2N5416

2N5416

Transistor PNP 2N5416, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

1.21€
Quantité en stock: 8
2N5884

2N5884

Transistor PNP 2N5884, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 50A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5886. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

5.87€
Quantité en stock: 143
2N6287G

2N6287G

Transistor PNP 2N6287G, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: 2N6287G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

25.06€
Quantité en stock: 100