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NJW0281G

NJW0281G

Transistor PNP NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 10pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW0302. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

6.28€
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NJW1302

NJW1302

Transistor PNP NJW1302, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW3281. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

7.56€
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NJW21193G

NJW21193G

Transistor PNP NJW21193G, TO-3P, 250V, 16A. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: NJW21193G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

8.96€
Quantité en stock: 125
NTE219

NTE219

Transistor PNP NTE219, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

8.02€
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PBSS4041PX

PBSS4041PX

Transistor PNP PBSS4041PX, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 85pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. FT: 110 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: 6g. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: PBSS4041NX. Spec info: sérigraphie/code CMS 6G. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 60mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 300mV. Tf (type): 75 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

1.32€
Quantité en stock: 95
PMBT4403

PMBT4403

Transistor PNP PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 29pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 200 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: *T2, P2T, T2T, W2T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P2T, T2T, W2T, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.0668€
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Quantité en stock: 2837
Minimum: 10
PN200

PN200

Transistor PNP PN200, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 75pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 80...450. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V...

0.16€
Quantité en stock: 112
PN200A

PN200A

Transistor PNP PN200A, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 45pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Fonction: Amplificateur à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: hFE 240...600. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V...

0.45€
Quantité en stock: 39
PN2907A

PN2907A

Transistor PNP PN2907A, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92AMMO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Fonction: Amplificateur à usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.11€
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Quantité en stock: 1112
Minimum: 5
PN2907ABU

PN2907ABU

Transistor PNP PN2907ABU, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: 2907A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

0.11€
Quantité en stock: 635
Minimum: 10
PUMB11-R

PUMB11-R

Transistor PNP PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-363. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: double transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: B*1. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.81€
Quantité en stock: 7
SMMUN2111LT1G

SMMUN2111LT1G

Transistor PNP SMMUN2111LT1G, SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: A6A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 13656
Minimum: 5
SS8550

SS8550

Transistor PNP SS8550, TO-92, 1.5A, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 160. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Tension (collecteur - émetteur): 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V...

0.20€
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SS9012G

SS9012G

Transistor PNP SS9012G, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 4. Spec info: excellente linéarité hFE. Type de transistor: PNP...

0.0928€
Quantité en stock: 618
Minimum: 5
SS9012H

SS9012H

Transistor PNP SS9012H, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Fonctionnement push-pull de classe B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: excellente linéarité hFE. Type de transistor: PNP...

0.18€
Quantité en stock: 157
STB1277Y

STB1277Y

Transistor PNP STB1277Y, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 170 MHz. Fonction: Amplificateur de moyenne puissance. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) STD1862. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

1.55€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 6
STN9260

STN9260

Transistor PNP STN9260, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: commutation rapide haute tension, transistor de puissance PNP. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: N9260. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf (type): 150 ns. Type de transistor: PNP. Vebo: 7V...

5.06€
Quantité en stock: 9
STN93003

STN93003

Transistor PNP STN93003, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Fonction: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: N93003. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) STN83003. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 1000...

0.70€
Quantité en stock: 68