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2N6468

2N6468

Transistor PNP 2N6468, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-66. Boîtier (selon fiche technique): TO-66. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 15. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 130V. Vebo: 5V...

20.09€
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2N6491

2N6491

Transistor PNP 2N6491, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

1.29€
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2N6491-PMC

2N6491-PMC

Transistor PNP 2N6491-PMC, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 5 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488. Type de transistor: PNP. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

1.08€
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2N6520

2N6520

Transistor PNP 2N6520, -350V, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (in): 100pF. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200 MHz. Fonction: -. Fréquence maxi: 40MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 15. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: PNP. Puissance: 0.63W. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6517. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

0.0865€
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2SA1012

2SA1012

Transistor PNP 2SA1012, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 60 MHz. Fonction: S-L, Low-sat. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2562. Type de transistor: PNP...

0.92€
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2SA1013

2SA1013

Transistor PNP 2SA1013, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: A1013. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.33€
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2SA1013-Y

2SA1013-Y

Transistor PNP 2SA1013-Y, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: A1013-Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 6V...

0.32€
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2SA1015GR

2SA1015GR

Transistor PNP 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92, 2-5F1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1162. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.20€
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2SA1015Y

2SA1015Y

Transistor PNP 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. FT: 80 MHz. Fonction: hFE.120-240. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: 1015 Y. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC1815Y. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+125°C. Température: +125°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0932€
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Minimum: 10
2SA1117

2SA1117

Transistor PNP 2SA1117, TO-3, 200V, 17A, 17A, 200V. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 200V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 17A. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Type de transistor: PNP...

15.26€
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2SA1123

2SA1123

Transistor PNP 2SA1123, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 130. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: A1123. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial planer type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.00€
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2SA1127

2SA1127

Transistor PNP 2SA1127, TO-92, 60V/55V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.30€
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2SA1141

2SA1141

Transistor PNP 2SA1141, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: A1141. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP...

8.76€
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2SA1145

2SA1145

Transistor PNP 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Marquage sur le boîtier: A1145 O. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2705. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.28€
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2SA1146-PMC

2SA1146-PMC

Transistor PNP 2SA1146-PMC, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Dissipation de puissance maxi: 100W. FT: 70 MHz. Fonction: VCE(sat) 2V max. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2706. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 140V...

1.69€
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2SA1164

2SA1164

Transistor PNP 2SA1164, TO-92, 35V/30V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.23€
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2SA1175

2SA1175

Transistor PNP 2SA1175, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. Type de transistor: PNP...

0.74€
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2SA1177

2SA1177

Transistor PNP 2SA1177, D6/C, 30V/20V, 30mA. Boîtier: D6/C. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.34€
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2SA1179

2SA1179

Transistor PNP 2SA1179, TO-236, 55V/50V, 150mA. Boîtier: TO-236. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.19€
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