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BF493S

BF493S

Transistor PNP BF493S, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 6V...

0.0935€
Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 58
Minimum: 10
BF506

BF506

Transistor PNP BF506, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 30mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 550 MHz. Fonction: VHF-V. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v...

0.25€
Quantité en stock: 718
BF606A

BF606A

Transistor PNP BF606A, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.90€
Quantité en stock: 42
BF623-DB

BF623-DB

Transistor PNP BF623-DB, SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: DB. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

0.35€
Quantité en stock: 19
BF821

BF821

Transistor PNP BF821, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 1.6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1W. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1W. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V...

0.27€
Quantité en stock: 227
BF926

BF926

Transistor PNP BF926, TO-92, 20V, 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

0.29€
Quantité en stock: 4
BF970

BF970

Transistor PNP BF970, TO-50, 30mA, TO-50, 40V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur: 30mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-50. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Applications: RF POWER. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. FT: 900 MHz. Fonction: UHF-M/O. Fréquence maxi: 900 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: PNP. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

0.47€
+3333 rapidement
Quantité en stock: 155
BFN37

BFN37

Transistor PNP BFN37, SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BFN37. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

1.47€
Quantité en stock: 20
BFT93

BFT93

Transistor PNP BFT93, SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 12V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 35mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: transistor PNP haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Marquage du fabricant: X1p. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

2.36€
Quantité en stock: 4392
BSP60-115

BSP60-115

Transistor PNP BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. FT: 200 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BSP50. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.46€
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Quantité en stock: 192
BSP62-115

BSP62-115

Transistor PNP BSP62-115, SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Marquage du fabricant: BSP62. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

1.00€
Quantité en stock: 1589
BSR16

BSR16

Transistor PNP BSR16, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 50...300. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS T8. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V...

0.0712€
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Equivalence disponible
Quantité en stock: 2379
Minimum: 10
CSB857

CSB857

Transistor PNP CSB857, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 15 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) CSD1133. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V...

0.93€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 13
D45H11

D45H11

Transistor PNP D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Equivalences: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: paire D44H11. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

1.44€
Quantité en stock: 69
D45H11G

D45H11G

Transistor PNP D45H11G, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Marquage du fabricant: D45H11G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

2.01€
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D45H2A

D45H2A

Transistor PNP D45H2A, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 60W. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 20A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

1.08€
Quantité en stock: 13