Rechercher "transistor j107"

Nous vous proposons une sélection de 533 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires PNP)

BDV64BG

BDV64BG

Transistor PNP BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 20A. Marquage du fabricant: BDV64BG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

3.94€
+31 rapidement
Quantité en stock: 55
BDV64C

BDV64C

Transistor PNP BDV64C, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: hFE 1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

6.89€
Produit obsolète
En rupture de stock
BDV64C-POW

BDV64C-POW

Transistor PNP BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV65C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

6.30€
Quantité en stock: 21
BDW47G

BDW47G

Transistor PNP BDW47G, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: BDW47G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

2.36€
Quantité en stock: 375
BDW84C

BDW84C

Transistor PNP BDW84C, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

3.27€
Quantité en stock: 28
BDW84D

BDW84D

Transistor PNP BDW84D, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BDW84D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

5.26€
En rupture de stock
Notification de stock
BDW84D-ISC

BDW84D-ISC

Transistor PNP BDW84D-ISC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83D. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

2.49€
Produit obsolète
En rupture de stock
BDW94C

BDW94C

Transistor PNP BDW94C, TO-220, -100V, TO-220AB, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 12A. Courant maximum 1: -12A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW93C. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 30 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 750. Ic(puls): 15A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDW94C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 80W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Série: BDW94C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V...

0.95€
+273 rapidement
Quantité en stock: 90
BDW94CF

BDW94CF

Transistor PNP BDW94CF, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 33W. FT: 20 MHz. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW93CF. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V...

1.26€
Quantité en stock: 13
BDX34C

BDX34C

Transistor PNP BDX34C, TO-220, -100V, 10A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Courant maximum 1: -10A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 70W. FT: 20 MHz. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE min.: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 70W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX33C. Série: BDX34C. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: transistor Darlington. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V...

0.77€
+56 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 259
BDX34CG

BDX34CG

Transistor PNP BDX34CG, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BDX34CG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

1.50€
Quantité en stock: 148
BDX54C

BDX54C

Transistor PNP BDX54C, TO-220, -100V, TO-220AB, 8A, 100V, 8A, TO-220AB, 50V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Courant maximum 1: -8A. Date de production: 2014/32. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Fonction: amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Gain hFE mini: 750. Gain hfe: 750. Ic(puls): 12A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDX54C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 60W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX53C. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Série: BDX54C. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.84€
+401 rapidement
Quantité en stock: 112
BDX54F

BDX54F

Transistor PNP BDX54F, 8A, TO-220, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. FT: 20 MHz. Fonction: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: -. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: R1 typ. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX53F. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V...

1.86€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 5
BDX66C

BDX66C

Transistor PNP BDX66C, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 7 MHz. Fonction: hFE 1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

3.42€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8
BDX66C-SML

BDX66C-SML

Transistor PNP BDX66C-SML, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 7 MHz. Fonction: hFE 1000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: PNP...

7.76€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
BF421

BF421

Transistor PNP BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 80 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 100mA. Marquage du fabricant: BF421. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

0.0607€
Quantité en stock: 20777
Minimum: 10
BF423

BF423

Transistor PNP BF423, TO-92, -250V, 0.05A, TO-92, 250V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 60MHz. Courant maximum 1: -0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE min.: 50. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.83W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF422. Série: BF423. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension base / collecteur VCBO: -250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: amplificateur. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

0.17€
+25 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 840
BF450

BF450

Transistor PNP BF450, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 350MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 350 MHz. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25mA. Marquage du fabricant: BF450. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.19€
+11 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 121
BF451

BF451

Transistor PNP BF451, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 350 MHz. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.23€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 182
BF472

BF472

Transistor PNP BF472, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V, 50mA, 0.03A, TO-126, 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. FT: 60 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: BF472. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF471. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: PNP...

3.49€
+20 rapidement
Produit obsolète
En rupture de stock