Rechercher "transistor j107"

Nous vous proposons une sélection de 533 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires PNP)

BD136-16

BD136-16

Transistor PNP BD136-16, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: PNP...

0.29€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 65
BD140

BD140

Transistor PNP BD140, TO-126 (TO-225, SOT-32), -100V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD140. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.36€
+1254 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 194
BD140-16

BD140-16

Transistor PNP BD140-16, TO-126 (TO-225, SOT-32), -80V, 1.5A, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Courant maximum 1: -1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 160MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD140-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139-16. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: -80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.34€
+6042 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 433
BD140-CDIL

BD140-CDIL

Transistor PNP BD140-CDIL, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.22€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 342
BD238

BD238

Transistor PNP BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Courant maximum 1: -2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: Applications audio, linéaires de puissance et de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Gain hfe: 25...40. Ic(puls): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD238. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD237. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V, 80V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.48€
+5 rapidement
Quantité en stock: 131
BD238G

BD238G

Transistor PNP BD238G, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD238G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.49€
Quantité en stock: 203
BD240C

BD240C

Transistor PNP BD240C, TO-220, 2A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 3MHz. Fonction: NF-L. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD239C. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.67€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 65
BD242C

BD242C

Transistor PNP BD242C, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD241C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.94€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 84
BD242CG

BD242CG

Transistor PNP BD242CG, -100V, TO-220., -3A, TO-220AB, 100V, 3A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-220.. Courant de collecteur: -3A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD242CG. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 40W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance...

1.77€
+202 rapidement
Quantité en stock: 527
BD244C

BD244C

Transistor PNP BD244C, -100V, TO-220, 6A, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Marquage du fabricant: BD244C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.83€
+5065 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 83
BD244CG

BD244CG

Transistor PNP BD244CG, -100V, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Courant de collecteur Ic [A]: 6A. Courant maximum 1: -6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. FT: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE min.: 20. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Série: BD. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Type de conditionnement: tubus. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

1.33€
+31 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 97
BD246C-PMC

BD246C-PMC

Transistor PNP BD246C-PMC, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Type de transistor: PNP...

2.10€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 36
BD246C-TI

BD246C-TI

Transistor PNP BD246C-TI, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Type de transistor: PNP...

3.40€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
BD250C

BD250C

Transistor PNP BD250C, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 25A, TO-3P, 115V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Fréquence: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Type de transistor: PNP...

2.64€
+20 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 47
BD250C-ISC

BD250C-ISC

Transistor PNP BD250C-ISC, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Type de transistor: PNP...

2.40€
Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 9
BD250C-PMC

BD250C-PMC

Transistor PNP BD250C-PMC, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. FT: 3 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Type de transistor: PNP...

2.60€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 24
BD250C-S

BD250C-S

Transistor PNP BD250C-S, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BD250C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

5.32€
Quantité en stock: 160
BD436

BD436

Transistor PNP BD436, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 32V, 4A, 4A, TO-126, 32V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Marquage du fabricant: BD438. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD435. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: PNP...

0.60€
+47 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 74
BD438

BD438

Transistor PNP BD438, TO-126 (TO-225, SOT-32), -45V, 4A, SOT-32, 45V, 4A, TO-126, 45V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Marquage du fabricant: BD438. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD437. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.40€
+562 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 128