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BCP53-10T1G

Transistor PNP BCP53-10T1G, SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: AH-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCP53-16

Transistor PNP BCP53-16, SOT-223 ( TO-226 ), -80V, 1A, SOT-223, 80V. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 50MHz. C (out): 25pF. Courant maximum 1: -1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 150MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Information: -. Marquage sur le boîtier: BCP 5316. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 1.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP56-16. Série: BCP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BCP53T1G

Transistor PNP BCP53T1G, SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: AH. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCP56-10

Transistor PNP BCP56-10, SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Marquage du fabricant: BCP56-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +155°C...

BCP69-25-115

Transistor PNP BCP69-25-115, SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Marquage du fabricant: BCP69/25. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCP69T1

Transistor PNP BCP69T1, SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Marquage du fabricant: BCP69. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

BCR562E6327HTSA1

Transistor PNP BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: XUs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 4.7k Ohms. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V...

BCR573

Transistor PNP BCR573, SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: XHs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCV62C

BCW30

Transistor PNP BCW30, 0.1A, 32V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 150 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 250. Marquage sur le boîtier: C2. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS C2. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

BCW67C

Transistor PNP BCW67C, SOT23. Boîtier: SOT23. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Fréquence: 200MHz. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.33W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 32V. Type de transistor: PNP...

BCW69R

Transistor PNP BCW69R, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. FT: 150 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: >120. Type de transistor: PNP...

BCW69R-H4

Transistor PNP BCW69R-H4, SOT-23, 45V, 100mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BCW69R. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -...

BCX17LT1G-T1

Transistor PNP BCX17LT1G-T1, SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: T1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCX42

Transistor PNP BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor PNP. pour applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: DKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX41. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 125V. Vebo: 5V...

BCX42-DK

Transistor PNP BCX42-DK, SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: DKs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCX51

Transistor PNP BCX51, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 50 MHz. Fonction: NF-TR. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS AA. Type de transistor: PNP...

BCX51-16

Transistor PNP BCX51-16, SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: AD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCX52-16

Transistor PNP BCX52-16, SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 125 MHz. Marquage du fabricant: AM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCX53

Transistor PNP BCX53, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: AH. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS AH. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BCX53-10

Transistor PNP BCX53-10, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: AK. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS AK. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX56-16. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BCX53-16

Transistor PNP BCX53-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), TO-243, -80V, 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 125MHz. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: -1A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: amplificateurs audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 145 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1.5A. Information: -. Marquage du fabricant: AL. Marquage sur le boîtier: AL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS AL. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX56-16. Série: BCX. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BCX53-16E6327

Transistor PNP BCX53-16E6327, SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 125 MHz. Marquage du fabricant: AL. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

BCX53-16SMD

Transistor PNP BCX53-16SMD, SOT89. Boîtier: SOT89. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Dissipation de puissance: 1.35W. Fréquence: 150MHz, 145MHz. Gain hfe: 100...250. Montage/installation: SMD. Polarité: bipolaire. Puissance: 1W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Type de transistor: PNP...