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BC557C

BC557C

Transistor PNP BC557C, TO-92, -50V, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Conditionnement: -. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Type de conditionnement: -. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0477€
+8283 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4389
Minimum: 10
BC557CBK

BC557CBK

Transistor PNP BC557CBK, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: BC557B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 831
Minimum: 10
BC557CG

BC557CG

Transistor PNP BC557CG, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Marquage du fabricant: BC557C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.11€
Quantité en stock: 3801
Minimum: 10
BC558B

BC558B

Transistor PNP BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V...

0.0388€
+1000 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 943
Minimum: 10
BC559A

BC559A

Transistor PNP BC559A, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: C559A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C...

0.0296€
Quantité en stock: 47
Minimum: 25
BC559C

BC559C

Transistor PNP BC559C, TO-92, 0.1A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Gain hfe: 400. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Tension (collecteur - émetteur): 30V. Transistor Darlington?: non. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP...

0.0519€
+1000 rapidement
Quantité en stock: 2839
Minimum: 10
BC560B

BC560B

Transistor PNP BC560B, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 200...450. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550B. Type de transistor: PNP...

0.19€
Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible
BC560C

BC560C

Transistor PNP BC560C, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 380. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0651€
+2 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 463
Minimum: 10
BC560CG

BC560CG

Transistor PNP BC560CG, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: BC560C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0717€
+15000 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 262
Minimum: 10
BC636

BC636

Transistor PNP BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Date de production: 1997.04. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.0465€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1210
Minimum: 10
BC640-016G

BC640-016G

Transistor PNP BC640-016G, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: BC640-16. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.59€
Quantité en stock: 2016
BC640-16

BC640-16

Transistor PNP BC640-16, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 150 MHz. Fréquence: 150MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 100...250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.18€
+50 rapidement
Quantité en stock: 116
BC640TA

BC640TA

Transistor PNP BC640TA, -100V, TO-92, -1A, TO-226, 80V, 1A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: -1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence maxi: 50MHz. Marquage du fabricant: BC640. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 0.8W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: transistor PNP...

0.30€
+1421 rapidement
Quantité en stock: 3590
BC807-25

BC807-25

Transistor PNP BC807-25, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V...

0.0558€
+32001 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 620
Minimum: 10
BC807-25-5B

BC807-25-5B

Transistor PNP BC807-25-5B, SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5B. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 12236
Minimum: 10
BC807-25LT1G-5B

BC807-25LT1G-5B

Transistor PNP BC807-25LT1G-5B, SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5B1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 12364
Minimum: 5
BC807-40

BC807-40

Transistor PNP BC807-40, SOT-23 ( TO-236 ), -45V, 0.5A, SOT23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 5C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0433€
+75763 rapidement
Quantité en stock: 368
Minimum: 10
BC807-40-5C

BC807-40-5C

Transistor PNP BC807-40-5C, SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.0829€
Quantité en stock: 28143
Minimum: 10
BC807-40LT1G-5C

BC807-40LT1G-5C

Transistor PNP BC807-40LT1G-5C, SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 5C. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

0.15€
Quantité en stock: 35548
Minimum: 5
BC856A

BC856A

Transistor PNP BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.0476€
Quantité en stock: 366
Minimum: 10
BC856B

BC856B

Transistor PNP BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE min.: 220. Gain hFE mini: 220. Gain hfe: 290. Ic(puls): 200mA. Information: -. Marquage sur le boîtier: 3B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 80V, 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Type de montage: SMD. Type de transistor: PNP. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 5V...

0.0482€
+52043 rapidement
Quantité en stock: 1669
Minimum: 10