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2SC5706FA

Transistor NPN 2SC5706FA, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 7.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

2SC5707

Transistor NPN 2SC5707, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 100dB. Vcbo: 80V...

2SC5707FA

Transistor NPN 2SC5707FA, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

BDY47

Transistor NPN BDY47, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Dissipation de puissance maxi: 95W. Fonction: Alimentation à découpage. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Td(off): 3.5us. Td(on): 0.5us. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 750V...

BU2515DX

Transistor NPN BU2515DX, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Courant de collecteur: 9A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF ( SOT399 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Fonction: VCE(sat) 5.0V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: convient pour l'alimentation des téléviseurs SONY. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BUL39D

MJE18004

Transistor NPN MJE18004, TO-220, 5A, TO-220AB, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 2.5pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Fréquence: 13MHz. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Gain hfe: 4...28. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

MJE18008

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 120W. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUL216

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1600V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: NPN. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V...

BUL310

Transistor NPN BUL310, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

MRA1720-9

Transistor NPN MRA1720-9, 28V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 28V. Applications: RF-POWER. Polarité: NPN. Type de transistor: transistor NPN...

1878-8729

Transistor NPN 1878-8729, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: TV-HA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2N1711

Transistor NPN 2N1711, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 7V...

2N1893

Transistor NPN 2N1893, TO-39, 500mA. Boîtier: TO-39. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 70 MHz. Marquage du fabricant: 2N1893. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

2N2222A-PL

Transistor NPN 2N2222A-PL, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2N2907A. RoHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

2N2222A-TO

Transistor NPN 2N2222A-TO, TO-18, 800mA. Boîtier: TO-18. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Marquage du fabricant: 2N2222A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V...

2N2222AG

Transistor NPN 2N2222AG, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( BULK Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Conditionnement: -. Dissipation de puissance maxi: 0.625mW. FT: 300 MHz. Fonction: Transistor amplificateur. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: 2N2222A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tf(max): 25 ns. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 5000. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

2N3019-ST

Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V...

2N3055-CDIL

Transistor NPN 2N3055-CDIL, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

2N3055-ONS

Transistor NPN 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

2N3055G

Transistor NPN 2N3055G, 60V, TO-3, 15A, 15A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur: 15A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Marquage du fabricant: 2N3055G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 115W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Type de transistor: transistor de puissance NPN...

2N3439

Transistor NPN 2N3439, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial planar NPN transistor'. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Vebo: 7V...

2N3440

Transistor NPN 2N3440, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Date de production: 2014/06. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 15 MHz. Fonction: S/VID. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V...

2N3442-ONS

Transistor NPN 2N3442-ONS, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Dissipation de puissance maxi: 117W. FT: 0.8 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...